欢迎关注材料人微信公众号：icailiaoren

话题：半导体

结果数： 130
导读
Phys. Rev. Lett.：单层WSe2中束缚激子的缺陷结构
叶岚山 •
单层直接带隙半导体过渡金属二硫属化物（TMD）MX2（M=Mo，W；X=S，Se）在电子学、光电子学以及能谷电子学等领域引起了广泛关注。然而，典型的TMD场效应晶体管器件在没有掺杂时主要表现为n型或p型，与完美晶体结构相矛盾，并且载流子迁移率远低于理论值。此外，光致发光光谱不仅可以表征出强激子效应，其发光效率远低于对直接带隙半导体的预期，且可在光禁带区域出现一个宽的缺陷活性峰。因此，结构缺陷对单层TMD的光电性能具有很大的影响。目前，大多数单层TMD为n型掺杂，但WSe2表现为p型掺杂。这种p型掺杂结合其他TMD材料可形成p-n结平面异质结构。由于价带上较大的自旋轨道分裂和自旋-能谷的锁定，p型掺杂的能谷相干时间可长至1-10 ns，而n型掺杂一般只有10 ps左右。此外，单层WSe2冷却至~10K以下时，其缺陷中束缚激子的发光行为表现为单量子发光点（SQEs）,这可应用于量子信息处理。然而，当前对单层WSe2中缺陷的原子和电子结构的研究尚不清楚。

话题

3D打印 Nature Science 二维材料 人物 催化剂 半导体 塑料 复合材料 太阳能电池 学术 工艺 成果精选 欧洲杯线上买球 晶体 智能材料 材料制备 材料测试 材料计算 清洁能源 燃料电池 王中林 生物材料 电催化 电子电工 石墨烯 碳材料 纳米 航空航天 薄膜 超导 超材料 超级电容器 轻量化 量子点 金属 金属有机框架 钙钛矿 钙钛矿太阳能电池 钠离子电池 钢铁 锂电池 锂硫电池 锂离子电池 高分子
材料人微信