顶刊 加州大学最新Science：抑制单层半导体中所有激子密度下的非辐射衰变 木文韬 •3年前 (2021-07-23) 【引言】 过渡金属二硫属化物（TMDC）单层单层中的激子复合取决于激子生成速率（G）、背景载流子浓度和电子能带结构。在电容...
