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导读
Phys. Rev. Lett.：单层WSe2中束缚激子的缺陷结构
叶岚山 •
单层直接带隙半导体过渡金属二硫属化物（TMD）MX2（M=Mo，W；X=S，Se）在电子学、光电子学以及能谷电子学等领域引起了广泛关注。然而，典型的TMD场效应晶体管器件在没有掺杂时主要表现为n型或p型，与完美晶体结构相矛盾，并且载流子迁移率远低于理论值。此外，光致发光光谱不仅可以表征出强激子效应，其发光效率远低于对直接带隙半导体的预期，且可在光禁带区域出现一个宽的缺陷活性峰。因此，结构缺陷对单层TMD的光电性能具有很大的影响。目前，大多数单层TMD为n型掺杂，但WSe2表现为p型掺杂。这种p型掺杂结合其他TMD材料可形成p-n结平面异质结构。由于价带上较大的自旋轨道分裂和自旋-能谷的锁定，p型掺杂的能谷相干时间可长至1-10 ns，而n型掺杂一般只有10 ps左右。此外，单层WSe2冷却至~10K以下时，其缺陷中束缚激子的发光行为表现为单量子发光点（SQEs）,这可应用于量子信息处理。然而，当前对单层WSe2中缺陷的原子和电子结构的研究尚不清楚。
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Nature Mater.：碳纳米管微腔形成电泵浦及实现激子-极化调谐
叶岚山 •
目前，电泵浦激子极化子的工作原理是采用多层发光二极管（LED），其电流和光反馈方向一致；或采用复合半导体制造技术获得与电流流向正交的光学反馈。通过对比，发光场效应晶体管（LEFETs）通过相对简单的技术可实现非常高的电流，且电流以面内的方式流动使得电流密度不受光学反馈结构的影响。理想的发射器材料可承受高电流密度且在这种条件下保持较高的振荡强度。虽然可通过电荷累积和减少振荡强度这两种方式来调整极化子分支的位置，但在高电流密度下也可能最终会导致混合光物质发生损失。通过提高载流子的流动性以及采用具有可使极化子快速释放的腔内嵌材料来避免上述问题。
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