南京大学Nature子刊:通过液滴介导的P-R转变制造岛链硅纳米线
【引语】
由于表面吉布斯自由能的缘故,从热学的角度看一维纳米线是不稳定的。如果高效的质量迁移(mass migration)能够实现,纳米线就会发生大尺度的直径变化或者分散成独立的球体。如果这一形貌演变能够在可控的情形下发生,那么能够为设计通过硅纳米线(SiNW)通道进行电子、光子以及声子传输提供了一个有效的方法。
【成果简介】
我们知道,尺寸均一的硅纳米线在制备过程中需要经历一个高温(>1000 °C)球状化(spheroidization)过程。直到最近,研究人员才能够利用Plateau-Rayleigh(P-R)晶体生长来解释硅纳米线侧壁的岛-壳生长(island-shell growth)。然而,这种P-R不稳定转变在远低于硅熔点(1414 °C)的低温条件下是及其低效的。要想在低温以及可控的条件下实现晶体硅(c-Si)的P-R转变需要从纳米尺度的移动生长角度开发新策略。
近日,南京大学的徐骏教授、余林蔚教授等在期刊Nature Communication上发表文章,报道了在面内(in-plane)硅纳米线生长中实现大规模P-R自我转变(self-transformation)。利用低熔点的锡(Sn)催化剂液滴吸收作为前驱体的非晶硅为介导,大型界面作用能够使得催化剂液滴拉长变形,从而刺激周期性P-R转变/振荡,并最终使得直硅纳米线在小于350 °C的低温下形塑成连续或分离的岛链状(island-chains)硅纳米颗粒。这种独特的形貌制备离不开精确的自我定位能力,这些能力的相结合规模器件的发展是非常有利的。
【图文导读】
图1:制备过程与形貌转变示意图
(a-c)展示了氢气等离子体催化剂的形成、氢化非晶a-Si:H层涂覆以及Sn催化的硅纳米线退火生长步骤;
(d)为a-Si:H层涂覆后的Sn催化剂液滴的SEM图像;
(e)Sn液滴初始生长的原位SEM图像;
(f)Sn播种条带上生长的面内硅纳米;
(g-i)直硅纳米线形塑成连续或分离的岛链状(island-chains)硅纳米线结构。
图2:自由生长的岛链状纳米线的形貌和统计学表征
(a) Sn带边缘的单条岛链状硅纳米线的放大观察图像;
(b) 纳米尺度迁移生长系统中的关键维度参数;
(c) 不同厚度非晶a-Si:H层的岛链状硅纳米线的宽度调制图。
图3:引导生长的岛链状纳米线的形貌和统计学表征
(a) 引导生长岛链状纳米线的SEM图像;
(b) 岛链状纳米线的长宽统计学数据;
(c) Sn带边缘岛链状纳米线在生长过程中的形貌演变;
(d) 图c中连续岛链部分的放大图像。
图4:岛链状纳米线的结构分析
在图4中,研究人员利用高分辨透射电镜对岛链状纳米线进行了结构分析,并确认了纳米线高度的结晶度。此外,通过图e中心电子衍射花样分析,岛链状纳米线的生长是沿着硅[111]方向进行的。
图5:生长平衡点演变及面内生长振荡
(a) Sn液滴的拉伸;
(b) 生长点附近的振荡。
图6:连续或分离岛链状纳米线的形成
(a) Sn液滴的P-R不稳定性导致了岛链几何学的产生;
(b) 连续或分离岛链状纳米线的尺寸统计;
(c) 分离硅点结构的典型SEM图像。
【小结】
该篇文章报道了一维硅纳米线独特的P-R形貌设计。这一研究成果表明,纳米尺度的迁移行为有能力开发新型的形貌,为精致复杂的功能器件的制备提供了一个简单有效的思路。
文献链接:Engineering island-chain silicon nanowires via a droplet mediated Plateau-Rayleigh transformation(Nat. Commun.,2016,DOI: 10.1038/ncomms12836)
该文献汇总由材料人编辑部学术组John-chern供稿,欧洲足球赛事 编辑整理。
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