Adv. Mater. :实现高度有序3D钙钛矿纳米线阵列制备的新工艺
【引言】
纳米线(NWs)和纳米棒这类准一维(Q-1D)的半导体纳米结构,若将它们限制在其他二维结构中,会给材料内部的载流子及声子提供一维的传输通道。这种特性使得NWs可具备独特的电学与光学性质,从而在许多设备如晶体管、二极管、存储器和传感器中有着潜在的应用。另外,若将杂化钙钛矿这类具优异光学及电学性质的材料与NWs结合在一起,将会进一步促进光电设备的发展。但是,这类具高密度和几何高度可控性的钙钛矿NWs在生长工艺上依然是一个难题。
【成果简介】
近期,香港滚球体育 大学的Zhiyong Fan(通讯作者)等人在Adv. Mater.上发表题为“3D Arrays of 1024-Pixel Image Sensors based on Lead Halide Perovskite Nanowires”的论文,该研究团队首次通过特殊的气-固-固相反应(VSSR)过程成功在纳米工程模板上制备出大尺寸,高度有序的3D钙钛矿纳米线(NW)阵列。此方式将材料固有的性质与NW阵列的高密度集成性结合在一起,推进其在3D的集成纳米电子/光电工程上的应用。并利用此项技术装配成具1024像素的图像传感器,进一步证实此工艺有着广阔的应用前景。
【图文导读】
图一、3D钙钛矿NW阵列的结构图
(a) 32×32 MAPbI3 NW图像传感器的层层堆积结构
(b) 协助垂直排列、高密度的MAPbI3 NW 阵列生长的PAM模板示意图:b1)NW生长前PAM里的Pb。b2) PAM中的局部MAPbI3 NW生长。b3)PAM内完成生长的MAPbI3 NW。
图二、MAPbI3 NW的表征
(a) NW生长前PAM内的Pb的BSE图像
(b)和(c)分别为生长过程完成后,PAM内的MAPbI3 NW的截面图与俯视图
(d) NW生长前(黑色曲线)、10 min后(蓝色曲线)及1h后(黑色曲线)PAM的XRD图谱
(e)PAM中生长的MAPbI3 NW阵列的PL(绿色曲线)和UV-vis(紫色曲线)。内嵌图:内部NWs和PAM计算得到的光发布图。
图三、MAPbI3 NW的性能测试
(a) 性能测试装置图示
(b) 不同光照强度(白光)下的I-V曲线。内嵌图:黑暗条件及零误差下,单像素设备的能带结构
(c) 不同光照强度(白光)曝光下的电流强度
(d) +0.3V偏压响应率及灵敏度的测量
(e) 0.1 Hz(e1)和1Hz(e2) 开关频率下对白光(4.6 mW cm-2)的光敏反应。
(f) +0.3V偏压和白光(4.6 mW cm-2)下的响应时间分析
图四、由MAPbI3 NW组装的图像传感器性能测试
(a) 安装在印刷电路板的图像传感器照片
(b) 测试装置图示
(c) 字母“H”的原图及设备反映图
(d) 心形图案的原图及设备反映图
五、柔性NW阵列图像传感器的录像采集功能测试
(a) 虚线箭头表示了一个光斑的移动路线
(b) 光斑沿着移动路线行驶了一半的路程
(c) 安装在PCB上用于测量的完曲的柔性传感器设备的照片
(d) 在弯曲的图像传感器上的圆形图案的图片及其投影图
(e) 校正后得到的圆形图案的图片
【小结】
利用气-固-固相反应(VSSR)过程可在PAM模板上制备出大尺寸,高密度的3D MAPbI3 NW阵列。这种高度规整有序的阵列结构使得每个独立的NWs都可以实现电学上的定址访问,确定其作为超大规模集成电路(VLSI)电子设备和光电设备的潜在应用。结合了钙钛矿材料优异的电学及光学性质,这种3D NW阵列必将在光电设备领域上发挥其广阔的应用前景,如太阳能电池、光电探测器和发光二极管等。相信在不久的将来,这种制作工艺的应用也会进一步拓宽新型多功能设备的设计。
文献链接:3D Arrays of 1024-Pixel Image Sensors based on Lead Halide Perovskite Nanowires(Adv. Mater.,2016,DOI:10.1002/adma.201601603)
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