Adv. Funct. Mater.:2D GeAs高度的面内光、电各向异性
【引言】
各向异性的2D材料具有特殊的光学、电学和热电性质,因此有望用于各类角度依赖的器件中,例如集成数字逆变器、人造突触、偏振敏感的光探测器、中红外偏光器等。晶体结构和对称性决定着2D材料的基本性能,是理解各向异性结构-性能关系的关键。IV-V族化合物,如GeP、GeAs、SiAs,是一类低对称材料,目前作为一类新型的2D层状材料而备受关注,具有异于其块体样品的性能。2D层状GeAs材料的稳定性、成键和电子特性已经通过理论计算进行了广泛研究,然而其面内的各向异性还未从实验上加以研究。
【成果简介】
近日,北京航空航天大学杨圣雪副教授(第一作者)、蒋成保教授、北京工业大学张永哲教授和美国Rice大学P. M. Ajayan教授等人在Adv. Funct. Mater.发表了题为“Highly In-Plane Optical and Electrical Anisotropy of 2D Germanium Arsenide”的研究论文,报道了2D GeAs材料面内各向异性的最新研究成果。研究团队首先通过高压熔融的方法制备了GeAs单晶,然后通过微机械剥离的方法得到不同厚度的2D层状GeAs片,并转移到300nm厚的SiO2/Si(100)衬底上进行角分辨拉曼光谱、反射差分光谱(ADRDM)和偏振分辨电学测试。角分辨的测试结果显示,低对称的2D层状GeAs具有显著的面内光、电各向异性。ADRDM结果以一种可视化的方式直接证实了层状GeAs的面内光学各向异性,拉曼强度各向异性与样品厚度、激发波长和偏振模式密切相关,而少层GeAs场效应晶体管的电学输运测试结果表明,其zigzag方向的迁移率是armchair方向的数倍(4.6倍),其值大于ReS2和黑磷器件。
【图文导读】
图1 2D层状GeAs的晶体结构和拉曼光谱
(a-b)分别为层状GeAs晶体结构的侧视和俯视图。红色和蓝色球分别代表Ge和As原子;
(c)密度泛函理论(DFT)方法计算得到的GeAs的拉曼光谱强度;
(d)平行模式下633nm波长(130μW)激发时11nm GeAs片的拉曼光谱;
(e)角分辨拉曼光谱的两种测试模式(平行和垂直)示意图。
图2 2D层状GeAs的TEM表征和角分辨拉曼光谱
(a-b)分别为11nm GeAs片的HRTEM图和相应的SAED图;
(d-c)分别为平行和垂直模式下GeAs片的角分辨拉曼光谱;
(e-f)两种模式下角分辨拉曼强度的极坐标图。
图3根据拉曼张量模拟的各向异性拉曼强度的极坐标图
图4多层GeAs片的角分辨光学各向异性
(a)通过微机械剥离法转移到各向同性SiO2/Si(100)衬底上的多层GeAs片的光学照片。标尺为20μm;
(b)图(a)中的GeAs片上具有不同厚度的两个点的ADRDM结果;
(c)不同角度的ADRDM影像(0°~170°,10°/步)。
图5少层GeAs FETs的偏振分辨电学输运测试结果
(a)分别为0°和90°下(晶体取向的zigzag和armchair方向),在300nm SiO2/p++ Si衬底上的少层GeAs FET的室温转移曲线;
(b)GeAs FET在8个方向上的归一化的场效应迁移率的极坐标图。
【小结】
本文采用角分辨拉曼光谱、ADRDM、偏振分辨电学输运测试和相关的理论计算成功地揭示了2D层状GeAs的面内光、电各向异性,对理解各向异性2D材料的构效关系具有十分重要的意义,也为制备基于2D层状GeAs和其他低对称2D材料的高性能器件打下了很好的基础。
【第一作者简介】
杨圣雪,北京航空航天大学材料科学与工程学院副教授,于2013年获得理学博士学位,2013-2015年中国科学院半导体研究所博士后,2016-2017年加州大学洛杉矶分校博士后。研究方向为二维半导体材料,研究领域包括二维材料制备,面内各向异性特性表征,电输运、光电、磁学性能研究等,共发表SCI论文48篇,包括Nano Lett., 1篇,Appl. Phys. Rev., 2篇,Adv. Mater., 1篇,Adv. Funct. Mater., 1篇,ACS Nano, 1篇,Nano Res., 1篇,ACS Appl. Mater. Interfaces, 2篇,Nanoscale, 5篇等,论文他引1000余次,ESI高被引论文2篇,H因子19。
文献链接:Highly In-Plane Optical and Electrical Anisotropy of 2D Germanium Arsenide(Adv. Funct. Mater., 2018,DOI: 10.1002/adfm.201707379)
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