Science Advances: 2D金属与2D半导体搭伙 构建载流子通道
二维半导体被认为有望替代硅，成为下一代电子器件的主要材料。然而传统金属材料和二维半导体之间通常有很大的接触电阻，载流子很难从金属电极流入二维半导体。研究发现，原因在于材料之间存在较强的结合力，产生了大量的界面态，从而限制了费米能的调整。
最近，国家再生能源实验室的Yuanyue Liu（现加州理工）、Pauls Stradins,和Su-Huai Wei （现北京计算科学研究中心）提出了一种新的解决方案。他们发现二维材料之间存在独特的范德瓦尔斯作用，从而抑制了界面态的形成。利用二维金属代替传统的金属材料，就能实现在载流子在两种材料间的流动。而且发现，选用不同的二维金属材料，可以调节界面处电子和空穴的分离效率和光致电压，从而提高二维光伏器件的性能。
这一成果发表在Science Advances上。文献链接：Van der Waals metal-semiconductor junction: Weak Fermi level pinning enables effective tuning of Schottky barrier
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